AFT09MS031NR1 AFT09MS031GNR1
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RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
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A-FT09-R-ND 制造商:ASSMANN 制造商全称:Assmann Electronics Inc. 功能描述:HAUBEN FUR D-SUB-STECKVERBINDER
AFT09S200W02GNR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 960MHz 19.2dB 56W OM-780-2 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:960MHz 增益:19.2dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:56W 电压 - 额定:70V 封装/外壳:OM-780-2 供应商器件封装:OM-780-2 标准包装:250
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AFT09S200W02SR3 功能描述:TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:* 零件状态:有效 标准包装:250
AFT09S220-02NR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 920MHz 19.5dB 54W OM-780-2 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS 频率:920MHz 增益:19.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.4A 功率 - 输出:54W 电压 - 额定:70V 封装/外壳:OM-780-2 供应商器件封装:OM-780-2 标准包装:250
AFT09S282NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV9 900MHZ 80W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
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